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内容紹介 21世紀のギガビット時代に向けて， MOSLSIの高集積化が押し進められており， それに伴い駆動素子の微細化・高性能化への要求がますます強くなっている。
MOSFETの基本構成であるゲート酸化膜でみると， デバイススケーリング則の要請から薄膜化が加速している。
例えば1ギガビットDRAMになると， ゲート酸化膜厚が数ナノメートルの領域にまで達する。
このような状況では， わずか数十原子層の酸化膜が， 実に3MV/cm以上の電界を支えることになる。
さらに， SiO2/Si界面の原子配列や化学結合状態が， MOSFETの移動度， 酸化膜の電気伝導， ホットキャリア耐性および絶縁破壊特性を直接支配するようになる。
したがって， 極めて薄いゲート酸化膜の質的向上を図るには， 界面状態を正確に把握した上で， 原子レベルで制御できる酸化プロセスを構築する必要がある。
ゲート酸化膜形成は今後もULSI製造にとって不可欠の技術であることは間違いない。
しかしながら， 現状の酸化技術を単に延長するだけでは21世紀のギガビット時代への対応は不可能であり， 何らかのブレイクスルーが必要である。
これからの課題として， 高品質の極薄酸化膜形成はもちろんのこと， 大口径ウェーハでの酸化膜厚および膜質の再現性， 均一性および量産性に焦点が絞られよう。
現在， シリコン酸化膜に関する新しい研究成果が次々と発表されている。
その一方で， 多くの研究成果を体系的にかみ砕いて集約した書物が強く望まれている。
本書は， シリコン酸化膜の形成方法から酸化膜の物性および電気的信頼性まで， 最新の話題を取り入れながら平易に解説することを目的とし執筆したものである。
本書がULSI製造に関わる多くの技術者の方々のお役に立てれば幸いである。