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内容紹介 本書は， シリコンの結晶引き上げやデバイス・プロセスに最近従事された技術者あるいはこれから従事される予定の技術者でシリコン結晶欠陥の基礎知識を修得したいと思っておられる方々， およびこれから新しくシリコン結晶欠陥の研究を始めようとする研究者の方々や大学院生の諸君を対象とした入門書である。
本書の目的は， 読者にシリコンの結晶欠陥に関する基礎的かつ初等的知識を提供することである。
この目的に沿って， 半導体の結晶欠陥の基礎的性質とその評価方法の基礎， および実際のシリコン結晶欠陥の物性と評価， 今後の課題などをできるだけ平易に解説するように努めた。
本書の性格上， 内容および説明はできるだけ簡潔にしたが， 教科書など初等的解説書では比較的記述の少ない評価法(第2章の1.電気的評価法の接合容量法(DLTS， ICTS )， 6.粒子プローブを用いた評価法)については， やや詳しく説明した。
また， 第3章の「1.放射線・粒子線照射により発生する欠陥」については， それがシリコン結晶欠陥のうちで最もミクロな知見に基づいて理解されているという理由で詳しくとりあげた。
本書を読めば， シリコン結晶欠陥に関する解説や論文を理解する上で， 必要最小限の知識が得られるはずである。
しかし， 当然ながらここで解説したことは膨大なシリコン結晶欠陥に関する研究分野のほんの入り口に過ぎない。
そこで本書では， 読者がさらに進んだ専門的知識を修得するときに参考になるよう， 適切な文献をできるだけ多く引用・紹介した。
読者が目指すべき専門分野に踏み込んで行かれる際， これらの文献が手助けとなれば幸いである。